Czochralski

英語

詞源

借自波蘭語 Czochralski，為一姓氏，以發明這一方法的波蘭化學家 Jan Czochralski (1885–1953) 命名。

發音

• (美國) 國際音標^(幫助): /t͡ʃoʊˈkɹɑlski/
• (英國) 國際音標^(幫助): /t͡ʃəˈkɹælski/, /t͡ʃɒxˈɹælski/

名詞

Czochralski (不可數)

1. (作定語，化學) Czochralski process之簡寫。
   • 1999, Reinhard Krause-Rehberg, Hartmut S. Leipner, “Basics of Positron Annihilation in Semiconductors”, 出自 Positron Annihilation in Semiconductors: Defect Studies (Springer Series in Solid-State Sciences; 127), Berlin: Springer, →ISBN, →ISSN，第 104 頁:

     Mascher et al. (1989b) presented a correlated investigation of electron-irradiation-induced divacancies in silicon by positron annihilation, electron paramagnetic resonance (EPR), and infrared absorption. The defects were created by 2-MeV irradiation of Czochralski-grown Si at room temperature to a dose of 1×10¹⁸ cm^–2.

     （請為本引文添加中文翻譯）

   • 2011, Basant Agrawal, G. N. Tiwari, “Life Cycle Energy Analysis”, 出自 Building Integrated Photovoltaic Thermal Systems: For Sustainable Developments (RSC Energy Series; 4), Cambridge: RSC Publishing, →ISBN, →ISSN，第 284 頁:

     The energy required to produce electronic grade silicon (EG-Si) from MG-Si is 100 kWh kg^–1 and there is a 90% yield. The EG-Si is melted in a Czochralski crystal puller at 1400 °C and the silicon slowly crystallizes to form a single crystal ingot of silicon.

     （請為本引文添加中文翻譯）

近義詞

• Cz、CZ (縮寫)

相關詞彙

• Czochralski process、Czochralski method、Czochralski technique

波蘭語

詞源

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發音

• 國際音標^(幫助): /t͡ʂɔˈxral.ski/
• 韻部：-alski
• 音節化：Czo‧chral‧ski

專有名詞

Czochralski m 個人 (陰性形式 Czochralska)

1. 男性姓氏

變格

Czochralski 的變格

	單數	複數
主格	Czochralski	Czochralscy
屬格	Czochralskiego	Czochralskich
與格	Czochralskiemu	Czochralskim
賓格	Czochralskiego	Czochralskich
工具格	Czochralskim	Czochralskimi
方位格	Czochralskim	Czochralskich
呼格	Czochralski	Czochralscy

參見

• Appendix:波蘭語姓氏